TAC自主研發柴可拉斯基(Czochralski)晶體生長爐

台灣應用晶體(TAC)透過產學合作,與國立中山大學共同開發柴可拉斯基(Czochralski)晶體生長技術
該晶體生長系統包含中頻電源、加熱爐、拉晶機及自動控制程式,並具備以下優勢:

該系統具有以下優點:

高效能電熱轉換與即時溫度控制
採用射頻感應加熱技術,不僅提升電熱轉換效率,還可實現即時溫控,確保晶體生長的穩定性。

精確的直徑控制技術
透過重量回饋直徑控制技術,可自動且精準地控制晶體直徑,提高生長品質與穩定性。

高重現性,適合大規模量產
系統具備高度可重現性,確保每次晶體生長的一致性,適用於大規模量產

獨家熱場設計,提升生長靈活度
自主開發的熱場設計,提供高度靈活性,可針對不同晶體需求進行調整,優化生長條件。

即時監控與低難度引晶操作
即時觀察晶體生長狀態,不僅有助於監測生長過程,還能降低引晶操作的難度,提高良率。

獨創熱裝載技術,提高產能與良率
採用獨特的熱裝載技術,可在熔液加熱過程中補充新原料,不僅能延長坩堝壽命,還能有效提高產出率

TAC產能計畫

🔹 目前已建置 8 台 TAC 自主研發的晶體生長系統(CGS)
🔹 預計 2025 年擴增至 20 台 CGS

TAC 持續突破晶體生長技術,為業界提供高品質、高效率的解決方案,加速推動半導體與先進材料產業的發展。

晶體生長環境,爐內的熱梯度至關重要。坩堝在加熱線圈中的位置。多層隔熱,減少熱散發
LYSO:Ce:Ca 閃爍晶體
Ca 與 Ce:LYSO 共摻雜:
將鈣(Ca)摻雜到Ce:LYSO中,Ce的電價分佈更加均勻。 Ca共摻雜的Ce:LYSO提高了光產額,從而縮短了衰減時間
NSYSU授權TAC生產Ca與Ce:LYSO共摻雜
未提供專利授權的投標者供應Ce:LYSO共摻雜Ca有可能侵害專利保護
專利及證書
複合螢光材料專利(台灣)
雙摻雜LYSO閃爍體專利授權
ISO 9001:2015
ISO 14064