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碳化矽 (SiC) 在電動車 (EV) 市場中發揮至關重要的作用，尤其是在肖特基二極體 (SBD) 和金屬氧化物半導體場效電晶體 (MOSFET) 中。與傳統矽材料相比，SiC 具有更高的耐高溫性、更低的能量損耗和更高的功率效率，是電動車電源模組的理想選擇。 SiC MOSFET 顯著提高了電動車逆變器的能源效率和行駛里程，而 SiC SBD 則降低了功率轉換損耗。隨著電動車市場的快速擴張，碳化矽技術將進一步提高充電效率和車輛性能，成為未來新能源車的關鍵半導體材料。

隨著太陽能發電需求的成長，碳化矽 (SiC) 正在成為高性能太陽能轉換器的關鍵材料。 SiC 具有高耐壓、低能量損耗和出色的熱穩定性，在高功率應用方面表現出色。透過整合 SiC 肖特基二極體 (SBD) 和金屬氧化物半導體場效電晶體 (MOSFET)，太陽能逆變器可實現更高的能量轉換效率、更低的冷卻要求和更緊湊的系統設計。特別是在高壓環境下，SiC增強了耐用性和可靠性，確保長期穩定運作。隨著再生能源技術的進步，SiC不僅提高了太陽能發電效率，也為向綠色能源的轉型提供了先進的半導體解決方案。

在風電領域，碳化矽（SiC）正逐步取代傳統矽材料，成為提高能源效率和系統穩定性的關鍵技術。 SiC 具有高電壓耐受性、低能量損失和出色的熱穩定性，特別適合風力渦輪機中的功率轉換模組。透過整合碳化矽肖特基二極體 (SBD) 和金屬氧化物半導體場效電晶體 (MOSFET)，風電逆變器實現了更高的能量轉換效率、降低了冷卻要求並支援更高的工作電壓，從而簡化了系統設計並降低了成本。此外，SiC的高可靠性可確保在極端天氣條件下穩定運行，並延長設備使用壽命。隨著再生能源的不斷發展，SiC技術將進一步提升風電性能，推動更有效率、更穩定的綠色能源解決方案。