台灣應用晶體（TAC）宣布將參加2026年於日本橫濱舉辦的國際碳化矽及相關材料會議（ICSCRM 2026）。作為全球碳化矽領域最具權威性的學術與產業交流平台之一，TAC將於本次展會中，向國際頂尖專家與業界先進展示其在12吋單晶碳化矽開發的重大突破，以及8吋超低電阻（Ohmic-ULR）新產品的量產進程。
本次展會亮相的兩大核心產品，具體展現TAC扎實的研發與全自主製造量能：
1. 12 吋N-Type單晶碳化矽晶體（AI先進封裝散熱）：此技術於2025年12月至2026年4月間，由TAC團隊100%自主開發完成。目前已實現有效晶體厚度16mm以上，並在雷射切片製程上達成高良率。憑藉碳化矽優異的高導熱特性，此突破使TAC正式具備切入AI晶片散熱供應鏈的核心技術條件。
2. 8吋超低電阻晶圓（Ohmic-ULR）：電阻率極致降低至5 mΩ·cm，能有效降低導通損耗並提升元件效率。該產品專為滿足800V高壓直流及固態變壓器等次世代電網與電動車快充市場而設計。
未來，TAC將全球高頻與高功率市場提供具備高度競爭力的先進材料解決方案。誠摯邀請各界專家與合作夥伴於展會期間(9月27日至10月2日)蒞臨TAC展位(A館1樓B7)，與團隊進行深度的技術交流與商務洽談，共同建構強韌的次世代半導體供應鏈。
