中山大學6吋晶體 5千萬技轉台灣應用晶體公司

2023-08-17
中山大學6吋晶體 5千萬技轉台灣應用晶體公司
國立中山大學晶體研究中心是台灣唯一能生長次世代半導體碳化矽(SiC)的實驗室,已率先成功生長出直徑6吋的碳化矽晶體塊材,今年7月起,技轉台灣應用晶體公司及其所屬集團,簽訂5年5千萬元技術移轉案,助攻台灣次世代半導體材料領航優勢。

中山大學材料與光電科學學系教授兼晶體研究中心主任周明奇指出,研發過程結合中鋼、中鋼碳素等國內企業專業,除在石墨隔熱材料、坩堝及晶體生長設備等領域助攻MIT產業升級,今年7月起更技轉台灣應用晶體公司及其所屬集團,簽訂5年5千萬技術移轉案,助攻台灣半導體材料領航優勢。

第三類(次世代)半導體材料碳化矽(SiC),已發展數十年,具備低耗損、高功率、低雜訊、散熱佳等不可取代的特性,但,晶體生長的技術門檻高。

周明奇強調,第三類半導體材料碳化矽晶體可多元應用於電動車、光電、生醫等領域,中山大學團隊創全國學研單位之先,已取得晶體生長關鍵突破,成功生長6吋導電型(n-type)4H碳化矽單晶,並在品質穩定、生長速度等面向持續優化。

他說,在研發過程中,中山大學團隊攜手台灣企業共同創新,例如長晶設備包括電源供應器及電腦控制系統等軟硬體100%MIT,長晶爐是由中山大學創新育成中心孵化的企業所打造,坩堝(存放碳化矽原物料的容器)及石墨等隔熱材料,更有賴高雄在地企業的應援。

周明奇表示,德國、日本廠商已投入坩堝研發生產數十年,特別感謝包括中鋼與中碳的專業支援,他說,由於兩大企業同處於高雄的地利之便,在坩堝的隔熱材料與熱場設計相關技術改善過程中,提供許多協助。

周明奇表示,今年7月起,中山大學將6吋碳化矽晶體相關技術移轉至台灣應用晶體公司及其所屬集團,並簽訂5年5千萬的高額技轉案,以每年1千萬專屬授權的買斷合約形式進行,這也代表該集團正式跨入次世代半導體領域。雙方於未來5年在6吋、8吋大尺寸的導電型(n-type)與半絕緣型(Semi-insulating Silicon Carbide; SI.-SiC)4H、6H碳化矽單晶,都將攜手合作。

周明奇直言,合作的企業注重研發、人才培育、專利及Know-How,且同屬產業鏈最上游的原料供應端,現有產線運作與碳化矽長晶相似,7月起,該企業的工程師每周都將參加中山大學召開的技術會議,未來建廠期間也將持續攜手,平順地將技術從實驗室承接至全新廠區。

除了在第三類半導體材料碳化矽晶體的優勢,中山大學同步研發第四類半導體氧化鎵(Ga2O3)的單晶塊材(Bulk Crystal),周明奇說,在硬體設備上,中山大學晶體研究中心已有兩台6吋長晶爐,將於9月新增一台6吋與兩台8寸長晶爐。
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