equipment manufacturing for crystal growth with Czochralski (Cz).
TAC can provide the scintillator LYSO crystal for PET.
TAC crystal growth furnace can provide a- and c- axis ingot.
Frame
柴氏長晶設備

台灣應用晶體(TAC)與國立中山大學合作開發柴氏晶法長晶設備、以自有技術領先業界。

柴氏晶法長晶設備
設備架構
  • 高週波中頻穩壓 - 採用美國軍用級規格電子零件,不受系統電磁波干擾,穩定度持久優良。
  • 長晶爐主體 - 設備體積較小,可節省工廠空間,方便人員觀察及操作。
  • 提拉機機構 - 三角調整器容易操作,減輕人員負擔,提高校正精度。
  • 控制系統 –自動電腦直徑控制(ADC)系統穩定。
台灣應用晶體(TAC)長晶設備,可生產a軸晶棒與c軸晶棒。
閃爍晶體 閃爍晶體
Sapphire C - axis-  Al2O3
Diameter : 4”
Sapphire  A - axis - Al2O3
Diameter : 6”

柴氏提拉長式晶爐 TAC-CZ-110

單晶生長完整解決方案

        TAC柴氏提拉式長晶爐提供穩定單晶成長環境,獨家熱場設計與晶體生長參數自動化控制支援閃爍晶體(Scintillator)與雷射應用YAG晶體高品質與高良率晶體生長。

規格:

  • 高週波中頻穩壓系統加熱
    • IGBT 電源供應
    • 輸入480 Volt, 3 Phase, 50 or 60 Hz
    • 功率輸出範圍 25kW~50kW
    • 功率輸出精度 ±1%
    • 功率因數 0.95
    • 頻率範圍 10kHz~25kHz
    • 支援手動/自動/定時控制
    • 支援電壓/電流/功率控制模式
    • 控制精度±0.1%
    • IGBT及加熱線圈水冷
    • 故障報警和電壓、電流、功率等輸出限制保護
  • 穩壓器及油浸式隔離變壓器 (380V轉480V)
  • 旋轉速度-1~30rpm
  • 提拉速度-0.1~30mm/hr
  • 提拉行程-700mm
  • 快拉速度 0.1~2000mm/hr
  • 提拉精度 0.05mm
  • 內建穩定熱場提供良好溫度梯度控制
  • 熱場組件可局部更換降低維護成本
  • 常壓爐設計,支援加熱狀態投入長晶原料
  • 自動控制採NI控制系統與LabView控制軟件

主要優點:

  • 中頻穩壓加熱系統採軍用等級零組件,抗電磁干擾與高壽命
  • 爐體採易維護與不佔空間簡潔設計,易觀測晶生長;並提供熔體過程直接熱投料
  • 透過伺服馬達控制提供高精度提拉系統並整合晶體直徑自動控制系統(ADC)以獲取穩定高品質晶體生長
  • 介面控制採用TCP/IP通訊協定透過NI CompactRIO提供友善的控制環境
  • 穩定熱場建置與溫度梯度控制增加坩鍋以及熱場本身使用壽命,因此節省電源高達20%
  • 最大功率限制以及長晶過程異常狀況警示系統
柴氏提拉長式晶爐正子攝影偵測器所使用
正子攝影偵測器所使用
LYSO閃爍晶體 應用於雷射車燈搭配藍光二極體
應用於雷射車燈搭配藍光二極體所使用的Ce:YAG螢光晶體

 

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